半導体基板の製造方法

Method for manufacturing semiconductor substrate

Procédé de fabrication d'un substrat de semi-conducteur

Abstract

On chauffe une pluralité de substrats de carbure de silicium (10) et une partie support (30). La température d'une première surface de rayonnement (RP1) est fixée à une première température. La première surface de rayonnement (RP1) fait face à la pluralité de substrats de carbure de silicium (10) dans un premier espace (SP1) s'étendant à partir de la pluralité de substrats de carbure de silicium (10), dans une direction perpendiculaire à un plan (PL1) et s'éloignant de la partie support (30). La température d'une deuxième surface de rayonnement (RP2) est fixée à une deuxième température, supérieure à la première température. La deuxième surface de rayonnement (RP2) fait face à la partie support (30) dans un deuxième espace (SP2) s'étendant à partir de la partie support (30) dans une direction perpendiculaire audit plan (PL1) et s'éloignant de la pluralité de substrats de carbure de silicium (10). La température d'une troisième surface de rayonnement (RP3) est fixée à une troisième température, inférieure à la deuxième température. La troisième surface rayonnante (RP3) fait face à la pluralité de substrats de carbure de silicium (10) dans un troisième espace (SP3) s'étendant à partir d'intervalles entre la pluralité de substrats de carbure de silicium (10) dans ledit plan (PL1).
複数の炭化珪素基板(10)と支持部(30)とが加熱される。一の平面(PL1)に垂直な方向であってかつ支持部(30)から遠ざかる方向へ複数の炭化珪素基板(10)から延びる第1の空間(SP1)において複数の炭化珪素基板(10)に面する第1の放射面(RP1)の温度が第1の温度とされる。一の平面(PL1)に垂直な方向であってかつ複数の炭化珪素基板(10)から遠ざかる方向へ支持部(30)から延びる第2の空間(SP2)において支持部(30)に面する第2の放射面(RP2)の温度が第1の温度よりも高い第2の温度とされる。一の平面(PL1)に沿って複数の炭化珪素基板(10)間の隙間(GP)から延びる第3の空間(SP3)において複数の炭化珪素基板(10)に面する第3の放射面(RP3)の温度が第2の温度よりも低い第3の温度とされる。
A plurality of silicon carbide substrates (10) and a support portion (30) are heated. The temperature of a first radiation surface (RP1) is set to the first temperature. The first radiation surface (RP1) faces the plurality of silicon carbide substrates (10) in a first space (SP1), which extends from the plurality of silicon carbide substrates (10) in a direction which is perpendicular to one plane (PL1) and is away from the support portion (30). The temperature of a second radiation surface (RP2) is set to the second temperature, which is higher than the first temperature. The second radiation surface (RP2) faces the support portion (30) in a second space (SP2), which extends from the support portion (30) in a direction which is perpendicular to the one plane (PL1) and is away from the plurality of silicon carbide substrates (10). The temperature of a third radiation surface (RP3) is set to the third temperature, which is lower than the second temperature. The third radiation surface (RP3) faces the plurality of silicon carbide substrates (10) in a third space (SP3), which extends from gaps (GP) between the plurality of silicon carbide substrates (10) along the one plane (PL1).

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Patent Citations (4)

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