Transistor à couche mince organique et transistor émettant de la lumière à couche mince organique

Organic thin film transistor and organic thin film light-emitting transistor



L'invention concerne un transistor à couche mince organique ayant une excellente stabilité dans l'atmosphère et une grande vitesse de fonctionnement. L'invention concerne spécifiquement un transistor à couche mince organique dans lequel trois bornes, à savoir une électrode de grille, une électrode de source et une électrode de drain, une couche isolante pour une isolation entre l'électrode de grille et l'électrode de source/l'électrode de drain, et une couche de semi-conducteur organique sont formées sur un substrat et le courant source-drain est commandé par une tension appliquée à l'électrode de grille. Ce transistor à couche mince organique est caractérisé par le fait qu'il comprend en outre une couche de commande de cristallinité qui est composée d'un film fait d'un composé cristallin pour commander la cristallinité de la couche de semi-conducteur organique, et la couche de semi-conducteur organique contenant un composé ayant un groupe hétérocyclique ou un composé ayant une structure quinone est formée sur la couche de commande de cristallinité. L'invention concerne aussi spécifiquement un transistor émettant de la lumière à couche mince organique qui est caractérisé par le fait qu'il est composé du transistor à couche mince organique décrit plus haut dans lequel l'une de l'électrode de source et de l'électrode de drain est composée d'une électrode d'injection de trous et l'autre est composé d'une électrode d'injection d'électrons.
本発明は、大気中の安定性に優れ、かつ動作速度が大きい有機薄膜トランジスタの提供を目的とする。  本発明に係る有機薄膜トランジスタは、基板上に、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の3端子と、ソース電極及びドレイン電極とゲート電極との間を絶縁する絶縁体層と、有機半導体層とが設けられていて、ゲート電極に印加された電圧によりソース-ドレイン間電流を制御する有機薄膜トランジスタにおいて、有機半導体層の結晶性を制御する結晶性化合物から成膜される結晶性制御層を備え、該結晶性制御層上に、複素環基を有する化合物又はキノン構造を有する化合物を含んでなる有機半導体層が成膜されていることを特徴とする。また、本発明に係る有機薄膜発光トランジスタは、前記有機薄膜トランジスタのソース電極とドレイン電極のうち、いずれか一方が正孔注入性電極で構成され、残りの電極が電子注入性電極で構成されたことを特徴とする。
Disclosed is an organic thin film transistor having excellent stability in the atmosphere and high operating speed. Specifically disclosed is an organic thin film transistor wherein three terminals, namely a gate electrode, a source electrode and a drain electrode, an insulating layer for insulation between the gate electrode and the source electrode/the drain electrode, and an organic semiconductor layer are formed on a substrate and the source-drain current is controlled by a voltage applied to the gate electrode. This organic thin film transistor is characterized in that it further comprises a crystallinity control layer which is composed of a film made from a crystalline compound for controlling the crystallinity of the organic semiconductor layer, and the organic semiconductor layer containing a compound having a heterocyclic group or a compound having a quinone structure is formed on the crystallinity control layer. Also specifically disclosed is an organic thin film light-emitting transistor which is characterized by being composed of the above-described organic thin film transistor wherein one of the source electrode and the drain electrode is composed of a hole injecting electrode and the other is composed of an electron injecting electrode.




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