Method for producing metal nitride film, metal oxide film, metal carbide film or composite film of them, and production apparatus therefor


Procédé de production de film de nitrure de métal, film de nitrure de métal, film de carbure de métal ou film composite de ceux-ci et appareil pour la production de ceux-ci


La présente invention concerne un procédé de production de film sélectionné parmi un film de nitrure de métal, un film d'oxyde de métal, un film de carbure de métal et un film composite de ceux-ci. Ledit procédé de production comprend une première étape consistant à former un film de métal sur un substrat par déposition physique en phase gazeuse, ainsi qu'une deuxième étape consistant à faire réagir un radical avec le film de métal, le radical étant produit en amenant un gaz brut contenant un atome sélectionné parmi un azote, un oxygène et un carbone en contact avec un catalyseur métallique. Ledit procédé de production de film permet la formation d'un film de nitrure de métal mince ou similaire, présentant une résistance faible grâce à une réaction de radical simplement provoquée, même à faibles températures, le film de métal étant en effet formé par déposition physique en phase gazeuse sans réaction chimique et un radical énergétiquement activé étant amené à réagir avec le film de métal.
Disclosed is a method for producing a film selected from the group consisting of a metal nitride film, a metal oxide film, a metal carbide film and a composite film of them. The method for producing a film comprises a first step wherein a metal film is formed on a substrate by physical vapor deposition, and a second step wherein a radical, which is produced by bringing a raw material gas containing an atom selected from a nitrogen atom, an oxygen atom and a carbon atom into contact with a metal catalyst, is reacted with the metal film. This method for producing a film enables to form a thin metal nitride film or the like having low resistance by easily causing a radical reaction even at low temperatures, since the metal film is formed by physical vapor deposition without using a chemical reaction, and then an energetically activated radical is reacted with the metal film.




Download Full PDF Version (Non-Commercial Use)

Patent Citations (8)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    JP-2001516153-ASeptember 25, 2001アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッドCvdバリア層を有するボーダーレスバイア
    JP-2002524859-AAugust 06, 2002アドバンスド.テクノロジー.マテリアルズ.インコーポレイテッド三元窒化物−炭化物バリア層
    JP-2003031521-AJanuary 31, 2003Tobu Denshi Kk, 東部電子株式会社Method and apparatus for manufacturing barrier layer of semiconductor device
    JP-2004139057-AMay 13, 2004Semiconductor Energy Lab Co Ltd, 株式会社半導体エネルギー研究所表示装置及びその作製方法
    JP-2004363402-ADecember 24, 2004Semiconductor Leading Edge Technologies Inc, 株式会社半導体先端テクノロジーズMethod for manufacturing semiconductor device
    JP-2006057162-AMarch 02, 2006Tri Chemical Laboratory Inc, Ulvac Japan Ltd, 株式会社アルバック, 株式会社トリケミカル研究所Method for forming barrier film
    JP-2006144084-AJune 08, 2006Itec Co Ltd, Tokyo Univ Of Agriculture & Technology, Eizo Watanabe, 国立大学法人東京農工大学, 株式会社アイテック, 栄造 渡辺薄膜製造方法
    JP-H09148328-AJune 06, 1997Nec Corp, 日本電気株式会社Manufacture of semiconductor device

NO-Patent Citations (0)


Cited By (3)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    JP-2013058565-AMarch 28, 2013Ulvac Japan Ltd, 株式会社アルバックMethod and device for forming barrier metal layer
    US-8421491-B2April 16, 2013Advanced Semiconductor Engineering, Inc.Active non-contact probe card
    WO-2010074076-A1July 01, 2010キヤノンアネルバ株式会社Substrate processing method and substrate processing apparatus