成膜方法及び成膜装置並びに記憶媒体

Procede et appareil de formation de film et support de stockage

Method of forming film, film forming apparatus and storage medium

Abstract

La présente invention décrit une manière de former un film mince continu, même lors de l’application d’un métal fortement cohésif sur une surface d’un objet à traiter possédant des cavités dont le rapport de forme est élevé, . L’invention concerne un procédé de formation d’un film, comprenant les étapes consistant à : introduire un substrat dans une chambre réactionnelle et l’y monter ; alimenter la chambre réactionnelle en gaz brut contenant un composé d’un premier métal, pour ainsi faire adsorber ledit composé à la surface du substrat ; amener le composé de premier métal en contact avec un plasma réducteur, généré par activation d’un gaz réducteur, pour ainsi obtenir une couche du premier métal ; amener une électrode cible, dont au moins une partie de la surface est constituée d’un second métal différent du premier, au contact d’un plasma de pulvérisation et incorporer le second métal ainsi éjecté dans la couche de premier métal pour obtenir de ce fait une couche d’alliage, cette séquence adsorption-réduction-formation d’alliage étant conduite une ou plusieurs fois. Ainsi, même lorsque le premier métal est doté d’une force cohésive élevée, ce procédé supprime toute migration de sa part sur le substrat et permet la formation d’un film mince continu de faible épaisseur.
アスペクト比が大きい凹部を持つ被処理体の表面に凝集性の高い金属を用いた場合であっても連続した薄膜を形成すること。  基板を反応容器内に搬入、載置する工程と、反応容器内に第1の金属の化合物を含む原料ガスを供給して基板表面に当該第1の金属の化合物を吸着させる工程と、この第1の金属の化合物を還元性ガスを活性化させた還元用プラズマに接触させて第1の金属層を得る工程と、第1の金属とは異なる少なくとも表面部が第2の金属からなるターゲット電極にスパッタ用プラズマを接触させて叩き出した第2の金属を第1の金属層に注入して合金層を得る工程と、を含み、これらの吸着、還元、合金化の一連の工程を1回以上行う成膜方法を提供する。この方法により第一の金属の凝集力が強い場合でも基板における移動が抑制されて、連続した膜厚の小さい薄膜を形成できる。
Even in the application of a highly cohesive metal to a surface of treatment object having recesses of high aspect ratio, a continuous thin-film can be formed. There is provided a method of forming a film, comprising the step of carrying a substrate in a reaction chamber and mounting the same, the step of feeding a raw gas containing a compound of first metal into the reaction chamber to thereby cause the surface of the substrate to adsorb the compound of first metal, the step of bringing the compound of first metal into contact with a reducing plasma resulting from activation of a reducing gas to thereby obtain a first metal layer and the step of bringing a target electrode whose at least surface portion consists of a second metal different from the first metal into contact with a sputtering plasma and incorporating the thus ejected second metal into the first metal layer to thereby obtain an alloy layer, wherein this sequence of adsorption, reduction and alloy formation steps is carried out one or more times. By virtue of this method, even when the cohesive force of the first metal is large, any migration thereof on the substrate is suppressed to thereby realize formation of a continuous thin film of small thickness.

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Patent Citations (6)

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