Verfahren zur Ausbildung einer Öffnung für einen Kontakt in einem Halbleiterbauelement sowie zugehörige Halbleiterbauelementstruktur

Abstract

Verfahren zur Verbesserung einer Ätzrate einer Nitrid-Linerschicht (420) in Bezug auf eine Ätzrate einer weiteren Nitridschicht (408), wobei die Nitrid-Linerschicht zumindest auf einem freigelegten Abschnitt eines Substrats (400) angeordnet ist, der benachbart zu einer Unterseite einer Stapelstruktur (402, 404, 406) ist, die ebenfalls auf dem Substrat angeordnet ist, und die weitere Nitridschicht auf der Stapelstruktur angeordnet ist und das Verfahren umfasst: Abscheiden einer ersten Isolationsschicht (422) auf der Nitrid-Linerschicht zwischen der Stapelstruktur und einer weiteren Stapelstruktur und Planarisieren derselben; Abscheiden einer weiteren Isolationsschicht (424) auf der ersten Isolationsschicht (422); Abscheiden einer Antireflex-Überzugsschicht auf der weiteren Isolationsschicht (424); Strukturieren und Ätzen der Antireflex-Überzugsschicht, um zumindest eine Öffnung in der Antireflex-Überzugsschicht auszubilden, Ätzen von freigelegten Abschnitten der weiteren Isolationsschicht (424), welche unterhalb der Öffnung in der Antireflex-Überzugsschicht liegen, um zumindest eine Öffnung in der weiteren Isolationsschicht auszubilden, und Ätzen von freigelegten Abschnitten der ersten Isolationsschicht (422), welche unterhalb...

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      US-2002030234-A1March 14, 2002Kazuya Ohuchi, Atsushi AzumaSemiconductor device having gate electrode of stacked structure including polysilicon layer and metal layer and method of manufacturing the same
      US-6221714-B1April 24, 2001Samsung Electronics Co., Ltd.Method of forming a contact hole in a semiconductor substrate using oxide spacers on the sidewalls of the contact hole

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