Halbleitervorrichtungsherstellungsverfahren

Abstract

Halbleitervorrichtungsherstellungsverfahren mit: einem ersten Schritt zum Einführen von Verunreinigungen in eine Oberflächenschicht in einer aktiven Zone eines Halbleitersubstrats und zum Annealen des Halbleitersubstrats in einer Stickstoffatmosphäre oder einer Edelgasatmosphäre, um die Verunreinigungen zu aktivieren und so Source- und Drainzonen zu bilden; einem zweiten Schritt, nach dem ersten Schritt, zum Bilden eines mehrschichtigen Films, um die aktive Zone, die Source- und die Drainzone zu bedecken, welcher mehrschichtige Film aus wenigstens drei Schichten gebildet ist, wobei ein erster Isolierfilm, der eine Ladungseinfangfunktion hat, zwischen zweiten und dritten Isolierfilmen auf den oberen und unteren Seiten des ersten Isolierfilms sandwichartig angeordnet ist, wobei das Ausbilden des mehrschichtigen Films eine thermische Oxidation umfasst; und einem dritten Schritt zum Abscheiden eines Elektrodenmaterials auf dem mehrschichtigen Film und Mustern des Elektrodenmaterials und des mehrschichtigen Films, um eine Gateelektrode zu bilden, welche Gateelektrode über dem Halbleitersubstrat angeordnet ist, wobei der mehrschichtige Film zwischen ihnen...

Claims

Description

Topics

    Download Full PDF Version (Non-Commercial Use)

    Patent Citations (2)

      Publication numberPublication dateAssigneeTitle
      US-5168334-ADecember 01, 1992Texas Instruments, IncorporatedNon-volatile semiconductor memory
      WO-9741593-A1November 06, 1997Advanced Micro Devices, Inc.Procede de reduction d'oxydation de champ a bec d'oiseau utilisant de l'azote implante dans une zone active

    NO-Patent Citations (0)

      Title

    Cited By (0)

      Publication numberPublication dateAssigneeTitle